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首页> 外文期刊>Russian Journal of Physical Chemistry >Tuning the Electronic Structure and Optical Properties of S-Doped ZnO under Pressure
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Tuning the Electronic Structure and Optical Properties of S-Doped ZnO under Pressure

机译：在压力下调整S掺杂ZnO的电子结构和光学性质

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In this work, the geometrical, electronic structures and optical properties of S-doped ZnO at high pressures have been investigated. The pressure effects on the lattice parameters, the electronic band structures, and partial density of states (PDOS) of crystalline S-doped ZnO are calculated up to 10 GPa by performing density functional calculations. Within the studied pressure range, the lattice parameters have the strongest pressure dependence with ?c=0.152?, whereas a show a pressure dependence ?c=0.075? of up to 10 GPa. The non-uniform pressure dependence of the lattice parameters may imply that the sample undergoes anisotropic compression with pressure. The electronic structure of S-doped ZnO under high pressure is also discussed. Moreover, the evolution of the dielectric function, absorption coefficient (α(ω)), reflectivity (R(ω)), and the real part of the refractive index (n(ω)) at high pressure are also presented.
机译：在这项工作中，研究了高压下S掺杂ZnO的几何，电子结构和光学性质。 通过执行密度函数计算，将结晶S掺杂ZnO的状态（PDOS）的晶格参数，电子带结构和部分密度的压力效应计算为高达10GPa。 在研究的压力范围内，晶格参数具有最强的压力依赖性？C = 0.152？，而A显示压力依赖性？C = 0.075？ 最多10 GPa。 晶格参数的不均匀压力依赖性可能意味着样品通过压力进行各向异性压缩。 还讨论了高压下S掺杂ZnO的电子结构。 此外，还提出了介电函数，吸收系数（α（ω）），反射率（R（ω））和高压下的折射率（n（ω））的演变。

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