...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Semiconductors >Single-Mode Lasers (1050 nm) of Mesa-Stripe Design Based on an AlGaAs/GaAs Heterostructure with an Ultra-Narrow Waveguide
【24h】

Single-Mode Lasers (1050 nm) of Mesa-Stripe Design Based on an AlGaAs/GaAs Heterostructure with an Ultra-Narrow Waveguide

机译：基于Algaas / GaAs异质结构的MESA条纹设计单模激光器（1050nm），具有超窄波导

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The emission characteristics of single-mode lasers based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide are studied. It is shown that using an ultra-narrow waveguide (100 nm) and thin (70 nm) wide-gap barriers at the waveguide/cladding interface makes narrower the vertical divergence of far-field emission. The lateral and vertical divergences are 5 degrees and 18.5 degrees, respectively, for the narrow-stripe (5.1 mu m) single-mode lasers developed in the study. The lasers demonstrate efficient single-mode operation up to a power of 200 mW. Raising the current further gives rise to higher order modes, the maximum optical power in continuous-wave lasing being limited to 550 mW by overheating. Passing to the pulsed operation mode (pulse width 200 ns) makes it possible to raise the maximum peak optical power to 1500 mW.
机译：研究了基于藻类/ GaAs异质结构的单模激光的发射特性进行了研究，其中具有超窄波导。 结果表明，在波导/包层界面处使用超窄波导（100nm）和薄（70nm）宽间隙屏障使远场发射的垂直分歧较窄。 对于在研究中开发的窄条纹（5.1μm）单模激光器，横向和垂直分别分别为5度和18.5度。 激光器展示高效的单模操作，直到200 MW的功率。 提高电流进一步引起更高阶模式，连续波激光中的最大光功率通过过热限制为550mW。 传递到脉冲操作模式（脉冲宽度200ns）使得可以将最大峰值光功率升高到1500mW。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号