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Passivation effect of zinc oxide thin films with temperature on Si (100) substrate by atomic layer deposition

机译：用原子层沉积温度对Si（100）衬底的氧化锌薄膜的钝化效果

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The thin film growth behavior and mechanism of ZnO grown by atomic layer deposition (ALD) on Si (100) substrate was using diethylzinc (DEZn) and H2O as the zinc and oxygen sources, resperctively. The preferred orientation of ZnO on the Si (100) substrate was changed from (002) to (100). We suggest a hypothesis on the mechanism of preferred orientation change during ZnO deposition. This phenomenon seemed to play a major role in the vertical growth of (001) plane parallel to the substrate, which resulted in (002) preferred orientation growth of the ZnO films at low temperature regions. At high temperatures, the ethyl fragments further decomposed and desorbed from the surface. Therefore, the passivation effect disappeared and suppression of (002) growth was no longer possible. The microstructure evolution of ZnO was investigated by using a field emission scanning electron microscope (FeSEM) and x-ray diffraction (XRD).
机译：由原子层沉积（ALD）在Si（100）底物上生长的ZnO的薄膜生长行为和机制使用二乙基锌（DEZN）和H 2 O作为锌和氧气源，重新分裂。 ZnO在Si（100）衬底上的优选取向从（002）变为（100）。 我们建议在ZnO沉积期间优选取向变化机制的假设。 这种现象似乎在平行于基板的（001）平面的垂直生长中发挥重要作用，这导致ZnO膜在低温区域中的（002）优选的取向生长。 在高温下，乙基片段进一步分解并从表面解吸。 因此，不再可能消失，抑制（002）生长的抑制。 通过使用场发射扫描电子显微镜（FESEM）和X射线衍射（XRD）来研究ZnO的微观结构演化。

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