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首页> 外文期刊>Physica Scripta: An International Journal for Experimental and Theoretical Physics >Electronic and optical properties of SnX2(X = S, Se)-InSe van der Waal's heterostructures from first-principle calculations
【24h】

Electronic and optical properties of SnX2(X = S, Se)-InSe van der Waal's heterostructures from first-principle calculations

机译：SNX2（X = S，SE）的电子和光学性质 - 从第一原理计算中的范德沃尔的异质结构

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In this work from first-principles simulations we investigate bilayer van der Waal's heterostructures (vdWh) of emerging 2-dimensional optical materials SnS2 and SnSe2 with monolayer InSe. With density functional theory calculations, we study the structural, electronic, optical and carrier transport properties of the SnX2 (X = S, Se)-InSe vdWh. Calculations show SnX2-InSe in its most stable stacking form (named AB-1) to be a material with a small (0.6-0.7 eV) indirect band-gap. The bilayer vdWh shows broad spectrum optical response, with number of peaks in the infra-red to visible region. In terms of carrier transport properties, asymmetry in conductance was observed with respect to the transport direction and electron and hole transmission. The findings are promising from the viewpoint of nanoelectronics and photonics.
机译：在这项工作中，从一致原则模拟中，我们用单层内侧调查新出现的二维光学材料SNS2和SNSE2的Bilayer Van der Waal的异质结构（VDWH）。 利用密度函数理论计算，我们研究了SNX2（X = S，SE）-INSE VDWH的结构，电子，光学和载波传输特性。 计算在其最稳定的堆叠形式（命名为AB-1）中显示SNX2-Inse，是具有小（0.6-0.7eV）间接带隙的材料。 双层VDWH表示广谱光学响应，红外线中的峰数到可见区域。 就载体传输性能而言，相对于传送方向和电子和空穴传输观察到电导中的不对称性。 结果从纳米电子和光子学的观点出发。

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