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机译:β-腐烂半衰期为55个中子的同位素,超出n = 82壳间隙
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机译:富含中子的Cs-55至Ho-67的94β-衰变半衰期:r过程稀土地球峰形成的实验反馈和评估
机译:Re,Os和Ir的新中子富集同位素的β衰变半衰期接近N = 126时的r过程路径
机译:中子富含Ti同位素和可能的n = 32和n = 34壳隙
机译:富中子核素的β衰变研究以及N = 34子壳封闭的可能性。
机译:富含中子的碳同位素中普遍存在Z = 6幻数的证据
机译:β-富含55个中子同位素的半衰期,超出n = 82壳间隙
机译:新的富含中子的铬 - 镍同位素的β衰变半衰期及其对天体物理R-过程的后果