Electron transfer in the structure of a photorefractive doped Bi12TiO20: Ru crystal

Avanesyan V. T.; Paima K. I.; Stozharov V. M.

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Electron transfer in the structure of a photorefractive doped Bi12TiO20: Ru crystal

机译：电子转移在光反掺杂Bi12tio20的结构中：Ru晶体

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The ac conductivity of Bi12TiO20: Ru crystals has been studied in the frequency range 10(2)-10(6) Hz and at temperatures 293-773 K. The experimental data have been analyzed in the framework of the model of correlated barrier hops. In this material, the potential barriers are due to the existence of a block structure, crystal lattice defects, and also the presence of a ruthenium impurity. The microparameters characterizing the charge transfer in doped bismuth titanate single crystals have been determined.

机译：已经在频率范围10（2）-10（6）Hz和温度293-773K的情况下研究了Bi12TiO2020：Ru晶体的AC电导率。在相关屏障跳跃模型的框架中分析了实验数据。在这种材料中，潜在的屏障是由于块结构，晶格缺陷的存在，以及钌杂质的存在。已经确定了表征掺杂钛酸铋单晶的掺杂铋单晶中的电荷转移的微型探针。

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来源
《Physics of the solid state》 |2017年第6期|共4页
作者
Avanesyan V. T.; Paima K. I.; Stozharov V. M.;
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作者单位

Herzen State Pedag Univ Russia Nab Moiki 48 St Petersburg 191186 Russia;

Herzen State Pedag Univ Russia Nab Moiki 48 St Petersburg 191186 Russia;

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正文语种 eng
中图分类固体物理学;
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