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Saturation of stimulated Raman backscattering due to beam plasma instability induced by trapped electrons

机译：由于截图电子引起的束等离子体稳定性，刺激拉曼反向散射的饱和度

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A new saturation mechanism, beam plasma instability with trapped electrons resulting in saturation of stimulated Raman backscattering (SRBS), is presented. The beam plasma instability can be excited due to interaction between beam electrons and background electrons and it will produce a new mode. Here, the trapped electrons can be considered as beam electrons with velocity v(p) (phase velocity of the plasma wave) and density n(t) (density of the trapped electrons normalized by n(c), n(c) is the critical density for the incident laser light). This new mode will induce a sinusoidal density modulation and then this modulation will produce harmonic wave with modulation wave-number period delta k to enhance this new mode. As reported previously, the density modulation can increase Landau damping of the plasma wave and decrease the resonant region where SRBS occurs. Therefore, SRBS will saturate due to beam plasma instability induced by the trapped electrons.
机译：呈现了一种新的饱和机构，呈现截留电子导致受激拉曼反向散射（SRB）饱和的捕获电子的束等离子体不稳定性。 由于光束电子和背景电子之间的相互作用，可以激发光束等离子体不稳定性，并且它将产生新模式。 这里，捕获的电子可以被认为是具有速度V（p）的光束电子（等离子体波的相位速度）和密度n（t）（被n（c）归一化的被捕获的电子的密度，n（c）是 入射激光的临界密度）。 这种新模式将诱导正弦密度调制，然后该调制将产生具有调制波号时段Delta k的谐波，以增强这种新模式。 如前所述，密度调制可以增加等离子体波的Landau阻尼，并降低SRB发生的谐振区域。 因此，由于被困电子引起的光束等离子体不稳定性，SRB将饱和。

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