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Laserstrahl-Mikroschwei?en von mikroelektronischen Baugruppen unter Anwendung von ?rtlicher und zeitlicher Energiedeposition

机译：使用传感器和时间能量位置的微电子组件激光束Microsoft

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Kurzfassung des Beitrags. Der zunehmende Trend zur Elektrifizierung, insbesondere in der Automobilbranche, führt zu neuen Herausforderungen bei Kontaktierungen von Leistungselektronik und Batteriemodulen, welche sowohl eine hohe thermische als auch elektrische Leitf?higkeit erfordern. Kupferbonds, die diese Eigenschaften erfüllen, sind beim herk?mmlichen Ultraschallfügen aufgrund der hohen thermischen Leitf?higkeit in ihrem Querschnitt und somit in der Stromtragf?higkeit begrenzt. Durch den Einsatz eines Laserstrahl-Mikroschwei?prozesses ist ein hochautomatisierbares und kontaktloses Fügeverfahren verfügbar, welches mit Hilfe der ?rtlichen Leistungsmodulation - einer dem linearen Vorschub des fokussierten Laserstrahls überlagerten kreisf?rmigen Oszillation - den Anbindungsquerschnitt an die jeweiligen Anforderungen anpassen kann. Die Verwendung von Verbindungselementen mit einem gr??eren Querschnitt reduziert den elektrischen Widerstand, erh?ht die maximale Stromtragf?higkeit und steigert die mechanische Stabilit?t. Die zus?tzliche zeitliche Leistungsmodulation wirkt dabei stabilisierend auf den Prozess und die resultierende Einschwei?tiefe, welche bei sensiblen Werkstoffkombinationen mit z.B. DCB oder FR-4 ein wichtiges Qualit?tskriterium darstellt.Diese Arbeit enth?lt aktuelle Ergebnisse zum Laserstrahl-Mikroschwei?en von hochleitenden Werkstoffen unter Nutzung einer ?rtlichen und zeitlichen Leistungsmodulation. Dabei werden die Energiedeposition der Laserstrahlung und die erzielbaren Einschwei?tiefen untersucht.
机译：帖子摘要。越来越多的电气化趋势，特别是在汽车行业中，对电力电子和电池模块进行了新的挑战，这是需要高热导电性的电力电子和电池模块。满足这些性质的铜键在其横截面中限制在其横截面中，由于高导热率，导热率高导致具有高导热性，因此具有电流承载能力。通过使用激光束微型切换过程，可以使用高度自动和非接触的连接方法，这可以随着基于辅助电力调制的帮助适应各个要求 - 覆盖聚焦激光器的线性馈送的圆形振荡光束。使用具有较大横截面的连接元件降低了电阻，增加了最大电流承载能力并增加了机械稳定性。额外的时间功率调制稳定在过程和所得到的增强深度上，这是一种用于例如DCB或FR-4的敏感材料组合的重要质量标准。这项工作包含激光束微页上的当前结果吗？来自高度 -使用a的电动材料或时间功率调制。检查激光辐射的能量位置和可实现的外壳。

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