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首页> 外文期刊>Journal of industrial and engineering chemistry >High-performance photovoltaics by double-charge transporters using graphenic nanosheets and triisopropylsilylethynyl/naphthothiadiazole moieties
【24h】

High-performance photovoltaics by double-charge transporters using graphenic nanosheets and triisopropylsilylethynyl/naphthothiadiazole moieties

机译：双电荷运输车使用石墨烯纳米蛋白和三异丙基甲硅烷乙炔基/萘噻唑部分的高性能光伏

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Reduced graphene oxide (rGO) nanosheets were patterned with poly[benzodithiophene-bis(decyltetradecyl-thien) naphthothiadiazole] (PBDT-DTNT) and poly[bis(triiso-propylsilylethynyl) benzodithiophene-bis(decyltetradecyl-thien) naphthobisthiadiazole] (PBDT-TIPS-DTNT-DT) and used in photovoltaics. Conductive patternings changed via surface modification of rGO; because polymers encountered a high hindrance while assembling onto grafted rGO. The best records were detected in indium tin oxide (ITO):poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS):PBDTDTNT/rGO:PBDT-DTNT:LiF:Al devices, i.e., short current density (J) =11.18 mA/cm(2), open circuit voltage (V-oc)= 0.67 V, fill factor (FF)= 62% and power conversion efficiency (PCE)= 4.64%. PCE increased 2.31 folds after incorporation of PBDT-DTNT into thin films. Larger polymer assemblies on bared-rGO nanosheets resulted in greater phase separations. (C) 2018 The Korean Society of Industrial and Engineering Chemistry. Published by Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：还原的石墨烯氧化物（RGO）纳米片用聚[苯并二噻吩双（癸基十四烷基 - 噻吩）naphthothiadiazole]（PBDT-DTNT）和聚[二（三异丙-propylsilylethynyl）苯并双（癸基十四烷基噻吩）naphthobisthiadiazole]（PBDT-TIPS图案化-dtnt-dt）并用于光伏。导电图案通过RGO的表面改变而改变;因为聚合物在组装到接枝的RGO上时遇到高障碍。在氧化铟锡（ITO）中检测到最佳记录：聚（苯乙烯磺酸盐）：pbdtdtnt / rgo：pbdt-dtnt：lif：al器件，即短电流密度（j）= 11.18 mA / cm（2），开路电压（V-oc）= 0.67 V，填充因子（FF）= 62％和电源转换效率（PCE）= 4.64％。在将PBDT-DTNT掺入薄膜后，PCE增加2.31折。裸露的RGO纳米片上的较大的聚合物组件导致相相分离。 （c）2018年韩国工程和工程化学学会。 elsevier b.v出版。保留所有权利。

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