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Analytical Modeling of Triple-Metal Hetero-Dielectric DG SON TFET

机译：三金属异介电介质DG儿子TFET的分析模型

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In this paper, a 2-D analytical model of triple-metal hetero-dielectric DG TFET is presented by combining the concepts of triple material gate engineering and hetero-dielectric engineering. Three metals with different work functions are used as both front- and back gate electrodes to modulate the barrier at source/channel and channel/drain interface. In addition to this, front gate dielectric consists of high-K HfO~(2)at source end and low-K SiO~(2)at drain side, whereas back gate dielectric is replaced by air to further improve the ON current of the device. Surface potential and electric field of the proposed device are formulated solving 2-D Poisson’s equation and Young’s approximation. Based on this electric field expression, tunneling current is obtained by using Kane’s model. Several device parameters are varied to examine the behavior of the proposed device. The analytical model is validated with TCAD simulation results for proving the accuracy of our proposed model.
机译：本文通过组合三重材料栅极工程和异质介质工程概念来提出了三金属异质介质DG TFET的二维分析模型。 具有不同工作功能的三个金属用作前栅电极和后栅电极，以调制源/通道和通道/漏极界面处的屏障。 除此之外，前栅极电介质包括在源极端和低k SiO〜（2）处的高k Hfo〜（2）在排水侧，而后栅极电介质被空气取代，以进一步改善电流 设备。 所提出的装置的表面电位和电场在求解2-D泊松的方程和杨氏的近似。 基于该电场表达，通过使用Kane模型获得隧道电流。 改变了几个设备参数以检查所提出的设备的行为。 分析模型用TCAD仿真结果验证，以证明我们提出的模型的准确性。

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