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首页> 外文期刊>Journal of Micromechanics and Microengineering >High-accuracy alignment of the grating pattern along silicon < 1 1 2 > directions using a short rectangular array
【24h】

High-accuracy alignment of the grating pattern along silicon < 1 1 2 > directions using a short rectangular array

机译：使用短矩形阵列的光栅图案的光栅图案的高精度对准

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A method for the accurate alignment of the grating pattern along silicon < 1 1 2 > directions is developed. A short rectangular array is fabricated as an alignment pattern in silicon wafer through quick pre-anisotropic wet etching. The short rectangles can locate the {1 1 1} planes with zero error without the need to determine the crystal directions manually. The grating pattern is aligned along < 1 1 2 > directions by using the diffraction characteristic of the short rectangular array without a superfluous process or equipment. The alignment pattern occupies an area of less than 4 mm(2) and can be fabricated through one-time wet etching in any location on the silicon wafer. The alignment error of this method is up to +/- 0.013 degrees. The method is used to fabricate a silicon grating with a period of 220 nm and a groove depth of 1.8 mu m. The sidewalls of the grating are atomically smooth {1 1 1} planes with an RMS roughness of 0.162 nm.
机译：开发了一种沿着硅<11 2的光栅图案精确对准的方法。 短矩形阵列通过快速前视前湿法蚀刻作为硅晶片的对准模式制造。 短矩形可以定位{11 1 1}平面，其误差无需手动确定晶体方向。 通过使用短矩形阵列的衍射特性而没有多余的工艺或设备，光栅图案沿<112>方向对准。 对准图案占据小于4mm（2）的区域，并且可以在硅晶片上的任何位置中通过一次性湿法蚀刻来制造。 该方法的对齐误差高达+/- 0.013度。 该方法用于制造具有220nm的周期的硅光栅和1.8μm的凹槽深度。 光栅的侧壁是原子平滑的{1111}平面，其RMS粗糙度为0.162nm。

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