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Measurements of thermal conductivity and the coefficient of thermal expansion for polysilicon thin films by using double-clamped beams

机译：通过使用双夹紧梁测量热敏电导率和多晶硅薄膜的热膨胀系数

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In this paper, a test structure for simultaneously determining thermal conductivity and the coefficient of thermal expansion (CTE) of polysilicon thin film is proposed. The test structure consists of two double-clamped beams with different lengths. A theoretical model for extracting thermal conductivity and CTE based on electrothermal analysis and resonance frequency approach is developed. Both flat and buckled beams are considered in the theoretical model. The model is confirmed by finite element software ANSYS. The test structures are fabricated by surface micromachined fabrication process. Experiments are carried out in our atmosphere. Thermal conductivity and CTE of polysilicon thin film are obtained to be (29.96 +/- 0.92) W . m . K-1 and (2.65 +/- 0.03) x 10(-6) K-1, respectively, with temperature ranging from 300-400 K.
机译：本文提出了一种试验结构，用于同时确定多晶硅薄膜的导热系数和热膨胀系数（CTE）。 测试结构由两个具有不同长度的双夹梁组成。 开发了一种基于电热分析和共振频率方法提取导热性和CTE的理论模型。 在理论模型中考虑了扁平和屈曲的光束。 该模型由有限元软件ANSYS确认。 测试结构由表面微机械制造工艺制造。 实验在我们的氛围中进行。 获得多晶硅薄膜的导热系数和多晶硅薄膜的CTE（29.96 +/- 0.92）w。 m。 K-1和（2.65 +/- 0.03）x 10（-6）k-1，温度范围为300-400k。

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