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直径20nmのゲルマニウムナノワイヤーの不純物ドーピングに成功--次世代縦型トランジスタ材料の新しい評価技術を確立

机译:在直径为20nm的锗纳米线的杂质掺杂成功 - 为下一代垂直晶体管材料建立新的评估技术

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摘要

物質?材料研究棟構の研究グループは、シリコンに代わる次世代半導体材料として注目されているゲルマニウムナノワイヤー(直径20nm以下)へのキャリアドーピングに世界で初めて成功した。制御のために導入したドーバント不純物の状態についても、非破壊?非凝触で検出することも可能にした。ナノワイヤーは、シリコンやゲルマニウムなど多結晶を経由しないで、一気に単結晶化することが可能なことから次世代の超LsⅠや低コストで高効率な太陽電池などへの発展が期待されている。
机译:材料研究总督的研究组是第一个成功赋予锗纳米线(直径小于20nm)的成功兴奋剂,这是吸引作为下一代半导体材料的注意力,以更换硅。 对于引入对照的多种杂质的状态,也检测破坏性或非粘附性。 预计纳米线将开发到高效的太阳能电池和低成本,太阳能电池和低成本,因为可以在不通过多晶或锗如硅或锗的情况下单一结晶。

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  • 来源
    《金属時評》 |2010年第2139期|共3页
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  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 冶金工业;
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