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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials >原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料（In）GaAsNの開発
【24h】

原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料（In）GaAsNの開発

机译：采用原子层外延法对超高效多结太阳能电池进行材料（IN）GaAsn的研制

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（In）GaAsNは超高効率多接合型太陽電池用材料として期待されているが、N起因の欠陥やN原子の不均一な分布の為十分な特性が得られていない。我々は、これまでに結晶成長中の表面構造を制御する事で高品質化が期待出来る事を示してきた。そこで、成長中の表面をより精密に制御可能な原子層エピタキシー（ALE）法に注目し、高品質な（In）GaAsN薄膜に取り組hでいる。今回は、ALE成長に不可欠な自動停止機構に有効な成長条件探索の結果及び残留不純物混入過程に関して報告を行う。
机译：（IN）GaAsn预期作为超高效多结太阳能电池的材料，但由于N和N原子的不均匀分布，因此尚未获得足够的特性。 我们已经表明，到目前为止，通过控制晶体生长期间的表面结构，可以预期高质量。 因此，专注于能够更精确可控表面的原子层外延（ALE）方法，显着高质量（In）GaAsn薄膜。 这次，我们将报告增长条件搜索的结果，适用于ALE越来越多的自动停止机制和残余杂质污染过程。

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