Combined numerical model of a resonant-tunneling diode

I. I. Abramov; I. A. Goncharenko

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Combined numerical model of a resonant-tunneling diode

机译：谐振隧道二极管的组合数值模型

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The combined numerical model of a resonant-tunneling diode, based on self-consistent solution of the Schrodinger and Poisson equations is presented. It is shown, that excessive peak-to-valley ratio of I-V-characteristics obtained by known models first of all is caused by neglect or incorrect including charge distribution in the device.

机译：提出了一种基于Schrodinger和泊松方程的自我一致性解决方案的谐振隧道二极管的组合数值模型。示出了，首先通过已知模型获得的I-V型特性的过度峰谷比是由忽视或不正确引起的，包括装置中的电荷分布。

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来源
《Электромагнитные волны и электронные системы》 |2002年第3期|共7页
作者
I. I. Abramov; I. A. Goncharenko;
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作者单位

Department of Applied Physics and Advanced Technologies (FATA) National Autonomous University of Mexico A.P. 1-1010 Queretaro Qro. 67000 Mexico;

Department of Applied Physics and Advanced Technologies (FATA) National Autonomous University of Mexico A.P. 1-1010 Queretaro Qro. 67000 Mexico;

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正文语种 rus
中图分类无线电物理学;
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