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MOCVD法によるPbTiO_3ナノ島の作製とその強誘電性

机译:MOCVD法制备PBTIO_3纳米岛及其铁电

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摘要

MOCVD法による自己集合化を利用した強誘電体PbTiO_3ナノ島の作製とその強誘電性について述べた.基板上に形成された強誘電体ナノ島におけるサイズ効果や強誘電性を示す最小(臨界)サイズは,成長温度や相転移の有無,結晶配向性などに依存することを示した.言い換叉れば,基板上に作製したナノサイズ強誘電体では,基板をうまく利用することによって強誘電性を制御できることを示唆している.今後は,自己集合化により作製したナノサイズ強誘電体の強誘電体ナノデバイスへの応用·展開に向けて研究を進めていきたいと考えている.
机译:铁电PBTIO_3纳米岛采用MOCVD法及其铁电。 结果表明,在基板上形成的尺寸效应和最小(临界)大小取决于生长温度,相转变,晶体取向的存在或不存在。 换句话说,在基板上产生的纳米化铁电表明铁电可以通过利用基板来控制。 未来,我们希望对自动组装制造的纳米氧化铁电铁电纳米制的应用和开发进行研究。

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