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【24h】

中性子回折·散乱から見たプロトン伝導体K_3H（SeO_4）_2

机译：来自中子衍射和散射的质子导体K_3H（SEO_4）

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内部に水素結合をもつ誘電体のいくつかは，温度の上昇とともに誘電率の虚部が著しく増大する．イオン伝導などがあるときの複素誘電率は以下のように示され，（ε'：誘電率の実部，ω：測定周波数）電気伝導度σが増大することを意味する．通常の誘電測定でも結晶の質が悪く鬆（す：細かい穴）が入ったり，電極の付け方が悪く導通がある場合，誘電率の虚部が大きくなる．本研究で取り挙げるK_3H（SeO_4）_2（TKHSeと省略）は390K，20Kで逐次相転移し，高温側からプロトン伝導性（I相），強弾性（II相），反強誘電性（III相）を示す．電気伝導度は温度上昇とともに増加し．II相からI相の相転移点（T_c）で2桁近く上昇し．I相では10~（-4）～10~（-2）S/cmと半導体並みの電気伝導度を示す．物質が誘電体（絶縁体）であることから，電気伝導度はプロトンが担っていると考えられてきた．近年プロトン伝導体として研究されているTKHSeだが，同型の物質を含め研究の歴史は古く，当時は水素結合型誘電体の相転移機構を調べる目的で多くの研究がなされてきた．特に低温の反強誘電性相転移は，重水素置換による相転移温度の同位体効果が大きく，2つの四面体間に1つの水素結合をもつ孤立したダイマーが作る必要十分で単純な結晶構造から理論，実験双方から脚光を浴びていた．
机译：具有氢键的一些电介质是内部，随着介电常数以及温度升高而增加。当存在离子传导时的复合介电常数如下所示，这意味着导电率σ增加（ε'：介电常数，ω：测量频率的实部。即使在正常电介质测量中，污垢的质量也是沉浸的，并且电极差，并且如果电极未连接并导电，则介电常数的虚部变大。在该研究中设定的K_3H（SEO_4）_2（TKHSE和遗漏）在390 k和20k和20k中依次相位转动，质子传导（I相），脱铬（相阶段），来自高的反铁电气（III相）温度侧2.表示）。电导率随温度升高而增加。从II期相，I I II阶段的相变点（T_C）升温在2位附近。在I相的情况下，示出了10至（-4）至10（-2）S / cm以及半导体的电导率。由于该物质是电介质（绝缘体），因此认为电导率是质子的负责。近年来，它是TKHSE，已被研究为质子导体，但包括相同类型的材料的研究史已经陈旧，并且已经进行了许多研究来检查氢键电介质的相变机制。特别地，低温防火电相转变具有由于氘代取代而具有相变温度的大同位素效应，并且从两个四面体理论和实验之间具有一个氢键的单个氢键所需的简单晶体结构进行了较轻的晶体结构本实验。

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