IGBTデバイスの電気特性解析用モデルによる設計精度の向上

山田昭治; 阿形泰典; 藤本英俊

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IGBTデバイスの電気特性解析用モデルによる設計精度の向上

机译：通过IGBT器件电气特性分析模型提高设计精度

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IGBT製品の電気特性解析を行うため，IPMやIGBTの高精度·高汎用性モデルが求められている。IPMモデルは，ドライバICモデルやパッケージモデルなどて構成する。パッケージモデルを導入してパッケージでの放熱性の解析や電磁界解析によりLR等価回路を求め，電気特性の解析に通用した。イグナイタ用IGBTのモデルは，MOSFETやBJTに過渡特性を模擬する付加回路を組み合わせた等価回路モデルで構成する。これらのモデルを用いることにより，実測とのフィッティング精度が良い電気特性解析を実現でき，IGBT製品の設計精度向上に寄与している。

机译：为了分析IGBT产品的电学特性分析，需要高精度和IPM和IGBT的高功率。 IPM模型配置为诸如驱动程序IC模型或包模型。介绍了包装模型，分析了包装中的散热和电磁场分析，以确定LR等效电路并分析电性能。点火器IGBT的模型由组合的等效电路模型组合，该额外电路模拟模拟瞬态特性的MOSFET和BJT。通过使用这些模型，可以实现具有良好的拟合精度的电特性分析，具有测量，这有助于提高IGBT产品的设计精度。

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来源
《富士時報》 |2009年第856期|共4页
作者
山田昭治; 阿形泰典; 藤本英俊;
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作者单位

現在;

富士電機デバイステクノロジー株式会社半導体事業本部電子デバイス研究所デバイス開発部富士電機デバイステクノロジー株式会社半導体事業本部電子デバイス研究所デバイス開発部;

富士電機デバイステクノロジー株式会社半導体事業本部電子デバイス研究所デバイス開発部;

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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类电机;
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1. IGBTデバイスの電気特性解析用モデルによる設計精度の向上 [J] . 山田昭治, 阿形泰典, 藤本英俊富士時報 . 2009,第3a856期

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