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【24h】

放射線グラフ：ト重合法による半導体製造薬液用金属除去モジュール「メトーレ」開発と実用化

机译：辐射图：通过脱割方法开发和实际使用金属去除模块的半导体制造化学品

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半導体製造工程（ウェーハ製造工程、デバィス製造工程：ウエットプロセス）では腐食性の高い様々な薬液（強酸、強アルカリ、酸化剤等）が使用される。例えばシリコンウェーハの製造時に発生した加工変質を除去するアルカリエッチング工程では、4 5 ～ 5 0w％ 水酸化ナトリウム水溶液や4 5 ～5 0w％ 水酸化カリウム水溶液が用いられている。これらの高濃度アルカリ水溶液は、主にイオン交換膜を用いた電解法によって製造されており、原体や製造工程に由来する金属不純物を数ppm程度含有レている。これらの金属不純物の中で例えば、ニッケルと銅はシリコンウェーハ表面に付着または内部に浸透して電気特性に異常を与え、歩留り低下の原因となる。このため、シリコンウェーハ製造のアルカリエッチングに使用する高濃度アレカリ水溶液中のニッケルと銅はサブppb レべルといった極めて低い濃度レべル以下に抑える必要がある。
机译：在半导体制造工艺（晶片制造工艺，装置制造工艺：湿法）中使用各种腐蚀性化学品（强酸，强碱，氧化剂等）。例如，在除去在制造硅晶片时产生的处理改性的碱蚀刻步骤中，使用45至50W％氢氧化钠水溶液和45至50W％的氢氧化钾水溶液。这些高浓度碱性水溶液主要通过使用离子交换膜电解制备，并且衍生自原始体和制造过程的金属杂质含有约几ppm。在这些金属杂质中，例如，镍和铜穿透到硅晶片的表面上，以提供电性能的异常并导致产率降低。因此，需要抑制用于碱性晶片制造的高浓度Alerkari水溶液中的镍和铜，以抑制诸如亚PPB水平的非常低的浓度水平。

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