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首页> 外文期刊>Current applied physics: the official journal of the Korean Physical Society >Design and analysis of Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET)
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Design and analysis of Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET)

机译：基于硅的拱形全能隧穿场效应晶体管（TFET）的设计与分析

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In this work, a Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET) has been designed and analyzed. Various studies on IIIeV compound semiconductor materials for applications in TFET devices have been made and we adopt one of them to perform a physical design for boosting the tunneling probability. The GAA structure has a partially open region for extending the tunneling area and the channel is under the GAA region, which makes it an arch-shaped GAA structure. We have performed the design optimization with variables of epitaxy channel thickness (t(epi)) and height of source region (H-source) in the Si-based TFET. The designed arch-shaped GAA TFET based on Si platform demonstrates excellent performances for low-power (LP) applications including on-state current (I-on) of 694 mu A/mu m, subthreshold swing (S) of 7.8 mV/dec, threshold voltage (V-t) of 0.1 V, current gain cut-off frequency (f(T)) of 12 GHz, and maximum oscillation frequency (f(max)) of 283 GHz. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在这项工作中，已经设计和分析了基于Si的拱形全能栅极（GAA）隧穿场效应晶体管（TFET）。已经对用于TFET器件的IIIeV化合物半导体材料进行了各种研究，我们采用其中之一进行物理设计以提高隧穿概率。 GAA结构具有用于扩展隧道区域的部分开放区域，并且通道位于GAA区域下方，这使其成为弧形的GAA结构。我们已经通过基于Si的TFET中的外延沟道厚度（t（epi））和源极区高度（H-source）的变量进行了设计优化。设计的基于Si平台的弧形GAA TFET在低功率（LP）应用中表现出出色的性能，包括694μA/μm的导通电流（I-on），7.8 mV / dec的亚阈值摆幅（S） ，0.1 V的阈值电压（Vt），12 GHz的电流增益截止频率（f（T））和283 GHz的最大振荡频率（f（max））。 （C）2014 Elsevier B.V.保留所有权利。

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