ДИОДЫ ШОТТКИ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ

А.Ю. ЮЩЕНКО; Г.И. АЙЗЕНШТАТ; Ф.И. ФЕДОТОВА

首页> 外文期刊>Физика >ДИОДЫ ШОТТКИ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ

【24h】

ДИОДЫ ШОТТКИ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ

机译：二维电子气体异质结构的肖特基二极管

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной рНЕМТ-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристикам идеальных контактов на основе алюминия или молибдена, созданных в процессе молекулярной эпитаксии. Показано также, что измеряемая высота барьера Шоттки в диодах, созданных на псевдоморфных гетероструктурах, меньше, а коэффициент идеальности выше, чем на гомоструктурах AlGaAs. Наряду с известными методиками определения высоты барьера Шоттки, в работе апробирована методика, основанная на измерении порогового напряжения в диодах с двумерным электронным газом.

机译：提出了在藻类/ ingaAs假形式异质结构上具有Schottki屏障的接触特性的研究结果。根据标准的非RHMT技术创建具有基于TI的屏障的Schottki二极管。结果表明，参数与舒氏屏障的接触接近在分子外延的过程中产生的理想铝基触点或钼的特性。还示出了在假形态异质结构上产生的二极管中的肖特基势垒的测量高度高于Algaas Homostrucess。除了用于确定肖特基屏障高度的众所周知的方法，测试了一种基于测量具有二维电子气体的二极管中阈值电压的技术。

著录项

来源
《Физика》 |2018年第12期|共7页
作者
А.Ю. ЮЩЕНКО; Г.И. АЙЗЕНШТАТ; Ф.И. ФЕДОТОВА;
展开▼
作者单位

АО ?Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов? г. Томск Россия;

АО ?Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов? г. Томск Россия;

АО ?Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов? г. Томск Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类物理学;
关键词
гетероструктура AlGaAs/InGaAs; рНЕМТ; высота барьера Шоттки; показатель идеальности; двумерный электронный газ.;

机译：Algaas / Ingaas的异质结构;rhrtht;肖特基势垒高度;理想性指示器;二维电子气体。;

相似文献

中文文献
专利

ДИОДЫ ШОТТКИ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅