...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига
【24h】

Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига

机译:上在高温度下退火的Si的表面宽梯田微孔的演进(111)

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии проведены исследования трансформации микролунок на широких террасах поверхности Si(111), не содержащей вицинальных атомных ступеней, при термическом отжиге подложки в интервале 1200-1400°C. Предложена методика создания микролунок на широких террасах поверхности Si(111) с применением технологии фокусированного ионного пучка (Ga~+). Обнаружено, что кинетика разрастания микролунки меняется при достижении ею критического радиуса R_(crit), что обусловлено активацией процесса зарождения двумерных вакансионных островков на дне микролунки. Предложена теоретическая модель, описывающая изменения латеральных размеров микролунки как до, так и после достижения R_(crit). На основе анализа полученной температурной зависимости частот зарождения двумерных вакансионных островков на дне микролунки определена эффективная энергия зародышеобразования вакансионного островка —4.1 ± 0.1 эВ.
机译:在Si(111)表面的宽露台上进行了研究的Microolo转化的研究,不含有张开原子步骤,在1200-1400℃的间隔内进行热基材退火。提出了一种用于在宽表面梯田上创建微罗的方法,通过使用聚焦离子束技术(GA〜+)。发现当它到达临界半径R_(CRIT)时,微辊颜色的动力学变化,这是由于在底部的二维空位岛的诞生过程中的激活来激活microleanka。提出了理论模型,其描述了微透镜的横向尺寸的变化,如前后到达R_(CRIT)。基于分析Microlus底部的二维空位岛的增加频率的产生温度依赖性,确定空位岛成核的有效能量-4.1±0.1eV。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

    Сколковский институт науки и технологий 143026 Москва Россия;

    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号