• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Стимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
【24h】

Стимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

机译：在双量子阱的InGaAs / GaAsSb的/砷化镓激发射异质结构，生长在GaAs和锗/硅（001）衬底

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

(Получена 27 апреля 2016 г. Принята к печати 10 мая 2016 г.) Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Gе-бyΦеpa. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 К на длине волны 1.11 мкм, т.е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлсктронику.
机译：（于2016年4月27日收到。在2016年5月10日通过，报告说，使用轻松的GE-在Si（001）衬底上生长在Si（001）衬底上的结构中刺激辐射的观察。 byφa。在波长为1.11μm的温度下，在77k的温度下观察刺激的辐射，即，即在卷Si的透明度中。在GaAs衬底上生长的类似异质结构中，在1.17微米的室温下观察刺激的辐射，这使得这种结构的整合到硅光学中。

著录项

  • 来源
  • 作者

    А.Н. Яблонский; С.В. Морозов; Д.М. Гапонова; В.Я. Алешкин; В.Г. Шенгуров; Б.И. Звонков; О.В. Вихрова; Н.В. Байдусь; З.Ф. Красильник;

  • 作者单位

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603960 Нижний Новгород Россия;

    Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603960 Нижний Новгород Россия;

    Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603960 Нижний Новгород Россия;

    Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603960 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号