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ナノギャップ電極の簡易作製法と有機FETへの応用

机译:纳米间隙电极简单的制备方法及其在有机FET中的应用

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摘要

有機電界効果トランジスタ(OFET)に用いるナノギャップ電極の簡易な作製法を提案し、ナノギャップ電極を試作した。 ギャップ250 nmの櫛形電極パターンの作製に成功し、短絡なく十分な絶縁が確認された。 また、作製できた最も短いチャネル長は70 nmであった。 金またはマグネシウム-銀合金をソース-ドレイン電極に用いたナノギャップ電極基板上にべンタセンと銅フタロシアニンを製膜しOFET評価を行った結果、ミクロンチャネルのOFETと同程度のId-Vd特性を観測した。 _
机译:提出了一种用于有机场效应晶体管(OFET)的纳米间隙电极的简单制造方法以原型纳米间隙电极。 间隙250nm的梳状电极图案的制造成功且在没有短路的情况下确认了足够的绝缘。 另外,可以制造的最短通道长度为70nm。 由于源极 - 漏电极底部的金或镁 - 银合金,作为纳米间隙电极基板上的成膜和铜酞菁的结果。 _

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