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GaN系HEMTの最近の信頼性評価·解析

机译：近期可靠性评价与甘血清的可靠性评价与分析

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近年，AlGaN／GaNのヘテロ接合界面に誘起される2次元電子ガスを用いたGaN系HEMT（High Electron Mobility Transistor）デバイスは，高耐圧·高速動作·低損失が実現できる次世代パワーデバイスとして，脚光を浴びている．その一方で，GaNデバイスの実用化に向けた立ちはだかる課題として，信頼性の問題が挙げられる．本稿では，GaN HEMTデバイスにおける信頼性の問題を解説するとともに，問題解決に向けた評価·解析技術の動向を紹介する．
机译：近年来，使用在AlGaN / GaN的异质结界面上使用二维电子气体的GaN的HEMT（高电子迁移率晶体管）装置是可以实现高电压，高速操作的第二代功率装置，低损耗。我正在服用 另一方面，GaN设备实际使用的问题是具有可靠性的问题。 在本文中，我们将解释GaN HEMT设备的可靠性问题，介绍了解决问题解决的评价与分析技术的趋势。

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