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【24h】

ESD対策材料の特性解析

机译:ESD测量材料的特征分析

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摘要

2つの帯電レベルの異なる導電物質が接触した場合、瞬時に電荷の移動が起こり、帯電レベルが等しくなると共に、その放電時に電流が発生する。 デバイスのESD (Electro Static Discharge)破壊は、この電荷の移動に伴って発生する電流が原因で起こると考えられる。 デバイスの微細化が急速に進行するのに従い、デバイスのESD耐性も低くなり、SOI (Silicon On Insulator)デバイスやレーザー·ダイオード、GMR (Giant Magneto-Resistive)などは、わずか数十Vの帯電により破壊すると報告されている。そのため、製造ラインの不良率が50%を超えるケースもあり、ESD対策は急務である。ESD対策としては、接地技術、アイオナイザーによる電荷の中和、ESD対策材料による電荷の拡散などがあげられ、これらの技術を不良対象ごとに適切に選択することが重要である。 特にESD耐性が低いデバイスに対しては、摩擦などの瞬間的な帯電に対応しなければならず、適切な電荷移動速度で除電するというコンセプトから、ESD対策材料の使用が有効である。
机译:当两个充电水平的不同导电材料处于接触时,电荷移动瞬间发生,并且充电水平相等,并且在放电期间发生电流。由于该电荷移动产生的电流,认为设备ESD(电静电放电)破坏被认为发生。在设备小型化的快速进展之后,该装置的ESD电阻也很低,而SOI(绝缘体上的硅)器件,激光二极管,GMR(巨磁电阻)等仅被几十多个V.据报道。因此,存在制造线的故障率超过50%的情况下,ESD测量迫切需要。作为对ESD的措施,对于地面技术,通过离子器中和充电,以及通过ESD对抗材料的扩散,并且对于每个靶标针来适当地选择这些技术非常重要。特别地,对于具有低ESD电阻的装置,必须对应于瞬时充电,例如摩擦,并且ESD测量的使用以适当的电荷转移率的概念是有效的。

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