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【24h】

高速IGBTの特性改善と応用:インバータ搭載機器におけるIGBTの基本·応用回路について、IGBTそのものの特性改善、使用上の留意点も含めて紹介

机译:高速IGBT的特性改进和应用:引入IGBT本身的特点,并向逆变器安装装置中IGBT的基本应用电路的使用指向点

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摘要

パワーデバイスはスイッチング電源を始めとして、インバータなどのパワー制御に応用され、機器の小型化、薄型化、低消費電力、低電圧駆動、高効率化および高周波化の要求仕様に応えるため技術性能の向上を目指している。 さらに、パワーデバイスの基本構造はバイポーラ系よりMOS系へと移行しており、MOS系デバイスであるパワーMOS、IGBTなどは機器の"省エネ"という命題に呼応するスイッチングデバイスとしてデバイス自身の低損失化に取り組hでいる。
机译:功率设备已应用于电源控制,例如逆变器,例如逆变器,并响应诸如逆变器的功率控制。 此外,功率器件的基本结构从双极系统转换到MOS系统,并且功率MOS,IGBT等,其是MOS装置,该装置本身作为响应于“能量的开关装置保存“设备。我正在努力。

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