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【24h】

ハロゲンフリー材を絶縁性基材材料として選択し、3種類の新プロセスにて8層の全層IVH構造を開発·試作:ハロゲンフリー·鉛(Pb)フリー対応ビルドアップ配線板'B{sup}2it'

机译:选择一个无卤材料作为绝缘基板材料,并在三个新工艺中开发和原型为8层全层IVH结构:卤素免线引线(PB)免费兼容累积布线板“B {SUP}”2IT“

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摘要

1992年より導電性バンプにて層間接続するビルドアップ配線板B{sup}2 it (Buried Bump Interconnection Technology)の要素技術開発を開始し、1996 年より量産を開始し事業化した。 本B{sup}2 it技術は、特殊な厚膜Agペーストを開発し、それをCu箔上に印刷乾燥し円錐形状の導電性バンプを形成し絶縁層であるプリプレグを貫通した後、その上にほかのCu箔を積層プレスすることで、導体層間の電気的接続を形成する。
机译:1992年堆积布线板B {SUP} 2它(埋设凹凸互连技术)通过导电凹凸连接,我们开始开发技术并开始从1996年开始批量生产。 该B {SUP} 2 IT技术开发了一种特殊的厚膜AG浆料,它通过层叠其他Cu箔,形成锥形导电凸块并穿透为绝缘层的预浸料,电极层之间的电连接形成。

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