次世代半導体洗浄技術：エム·エフエスアイの洗浄技術·装置－45nm以降の半導体先端デバイスに対応する洗浄プロセス

長谷川勉

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次世代半導体洗浄技術：エム·エフエスアイの洗浄技術·装置－45nm以降の半導体先端デバイスに対応する洗浄プロセス

机译：下一代半导体清洁技术：洗涤技术后对应于半导体器件装置的洗涤过程，M.的装置-45nm。

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BEOLプロセスでは後ろ倒しが続いていたポーラスLow-k膜の採用が進み、本格的に量産プロセスとして確立していくことになる。 k値にダメージを与えない洗浄プロセスや、疎水性となる有機系Low-k膜に対するウォーターマークへの対応も必要となってくる。このような洗浄プロセスにおける多様化するニーズに対応した、エム·エフエスアイのユニークな独自洗浄技術に関し、以下の通り紹介する。

机译：在BEOL过程中，采用多孔低k薄膜随后退休的进展，并将在全规模的生产过程中建立。还需要应对不损害k值和水标记的清洁过程，以及对疏水有机低k薄膜的水标记。如下，对应于这种清洁过程中的多样化需求的M. EFES眼睛的独特清洁技术将如下介绍。

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《クリ-ンテクノロジ-: クリ-ン化技術の専門誌》 |2006年第12期|共4页
作者
長谷川勉;
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