机译:ZnO和Zn1-XCRXO的电子,磁性和结构性能的第一原理研究(x = 0.125,0.25,0.25,0.5,0.5)
Taki Govt Coll Dept Phys PO Taki North 24 Dist Parganas 743429 India;
Bandgap semiconductor; Cr-doped ZnO; electronic and optical properties; density functional theory; wurtzite ZnO;
机译:ZnO和Zn1-XCRXO的电子,磁性和结构性能的第一原理研究(x = 0.125,0.25,0.25,0.5,0.5)
机译:用第一性原理研究影响纤锌矿Mg0.25 Zn0.750电子结构和光学性质的应变
机译:C-F-Be掺杂纤锌矿型ZnO的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:对Ba_xsr_(1-x)TiO_3(x = 0; 0.125; 0.25; 0.375; 0.500)薄膜的摩尔分数效应
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:掺杂镍的锌共混物ZnO的电子和磁性:第一性原理研究
机译:第四节合金的结构,弹性,电子和磁性,BBI0.75MN0.125N0.125:一项研究