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【24h】

Statistical Prevalence versus Energetic Contributions of F center dot center dot center dot F, F center dot center dot center dot H, and F center dot center dot center dot C Intermolecular Interactions in 4-Trifluorotoluenesulfonamide Crystals

机译：统计流行与F中心点中心点中心点F，F中心点中心点中心点H和F中心点中心点中心点C分子间相互作用的4-三氟甲苯磺胺酰胺晶体

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CSD- and PDB-wide surveys of CF3-containing compounds have identified very divergent rates of isostructrality between CH3/CF3 analogues and a variety of behaviors for the CF3 groups ranging from nucleophilic to electrophilic. We present 13 crystal structures containing the 4-trifluor-otoluenesulfonamide (F3TsN) moiety and then analyze these structures and 10 pairs of CF3/CH3 toluenesulfonamide analogues using PIXEL-calculated lattice energies, Hirshfeld surfaces, ratios of frequencies, and electrostatic potential energy maps. The F3TsN group is directly and representatively interesting from a pharmaceutical context, given its strong additional intermolecular forces (H bonding and pi stacking). Unsurprisingly, many C-F center dot center dot center dot F angles correspond to type I halogen-halogen interactions, with several presenting at distances shorter than the sum of the van der Waals radii. Only 1 of 10 pairs in our study are isostructural, likely resulting from numerous but individually weak F center dot center dot center dot H and F center dot center dot center dot C intermolecular interactions. A ratio of frequencies analysis shows that C[unsat]-F contacts occur much more frequently in F3Ts structures than in the general population of fluorinated structures. We suggest that a detailed analysis of increasing pools of structural data for specific moieties can complement database-wide surveys and lead to more definitive conclusions and eventually design principles.
机译：CF3的化合物的CSD和PDB宽调查已经确定了CH3 / CF3类似物之间的同学性的非常不同的速率和用于从亲核的CF3组的各种行为。我们呈现含有4-三氟 - 卵磺酰胺（F3Tsn）部分的13个晶体结构，然后使用像素计算的晶格能量，HIRSHFELD表面，频率比率和静电势能图来分析这些结构和10对CF 3 / CH 3甲苯磺胺酰胺类似物。 F3TSN组从药物背景中直接且代表性地有趣，鉴于其强额外的分子间力（H键合和PI堆叠）。不陈旧的是，许多C-F中心点中心点中心点F角度对应于I型卤素 - 卤素相互作用，几个在距离短的距离比范德瓦拉半径的总和的距离。我们研究中只有10对中只有1个，可能是由于许多但单独弱的F中心点中心点中心点H和F中心点中心点中心点C分子间相互作用所产生的。频率分析的比率表明，C [UNSAT] -F触点在F3TS结构中比在氟化结构的一般群体中更频繁地发生。我们建议对特定部分的结构数据增加池进行详细分析，可以补充数据库范围的调查，并导致更明确的结论，最终设计原则。

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