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State equations and properties of various polymorphous modifications of silicon and germanium

机译：硅和锗各种多态性修饰的状态方程和性质

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The state equations and the pressure dependences of the lattice properties have been obtained for various polymorphous modifications of silicon and germanium using the Mie-Lennard-Jones pair interatomic potential and the Einstein crystal model. It is shown that the elastic-type interatomic potential gives the best results for the semiconductor phase and the plastic-type interatomic potential for the metalized phases whose potential well depth is significantly smaller. The pressure dependences of the lattice properties are calculated along isotherm 300 K and the jumps of the properties during the phase transition from the diamond structure to the beta-Sn phase are evaluated for both silicon and germanium. The calculated results agree well with the experimental data.
机译：利用Mie-Lennard-Jones对原子间势和爱因斯坦晶体模型，得到了硅和锗的各种多形性修饰的状态方程和晶格性质的压力依赖关系。结果表明，对于半导体相，弹性型原子间势给出了最好的结果，对于势阱深度明显较小的金属化相，塑性型原子间势给出了最好的结果。沿300 K等温线计算了晶格性质的压力依赖性，并评估了硅和锗在从金刚石结构到β-Sn相的相变期间性质的跳跃。计算结果与实验数据吻合较好。

著录项

  • 来源
    《Physics of the solid state》 |2017年第6期|共9页
  • 作者

    Magomedov M. N.;

  • 作者单位

    Russian Acad Sci Dagestan Sci Ctr Inst Geothermal Problems Pr Shamilya 39a Makhachkala 367030 Dagestan Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 固体物理学;
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