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首页> 外文期刊>Boletin de la Sociedad Espanola de Ceramica y Vidrio >Efecto del dopado con Si sobre la estructura de defectos en sistemas heteroepitaxiales GaN/AlN/Si(111)
【24h】

Efecto del dopado con Si sobre la estructura de defectos en sistemas heteroepitaxiales GaN/AlN/Si(111)

机译：Si掺杂对GaN / AlN / Si异质外延系统中缺陷结构的影响（111）

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En el presente articulo se lleva a cabo el analisis del efecto que el dopado con Si tiene sobre la estructura de defectos en epicapas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de Si (111) utilizando capas amortiguadoras de AlN. La caracterizacion estructural se llevo a cabo mediante microscopia electronica de transmision convencional y de alta resolucion. El dopado con Si afecta a la desorientacion y tamano de los subgranos que constituyen la estructura mosaico de la epicapa de GaN. El dopado con Si provoca un aumento en la densidad de defectos planares, asi como una disminucion en la densidad de dislocaciones de propagacion. El incremento en el grado de desorientacion de inclinacion, asi como en la densidad de defectos planares que se produce conforme aumenta el dopado con Si explican la disminucion en la densidad de dislocaciones que alcanzan la superficie libre de GaN.
机译：在本文中，分析了使用AlN缓冲层对Si掺杂对通过分子束外延在Si（111）衬底上生长的GaN外延层中的缺陷结构的影响。通过常规和高分辨率透射电子显微镜进行结构表征。 Si掺杂会影响组成GaN外延层镶嵌结构的亚晶粒的取向和尺寸。掺杂Si导致平面缺陷密度的增加以及传播位错密度的降低。倾斜取向度的增加以及随着掺杂Si的增加而发生的平面缺陷的密度增加，说明了到达GaN自由表面的位错密度的降低。

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