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Focus measurement with a simple pattern design

机译：通过简单的图案设计进行焦点测量

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The increasingly smaller depth of focus of advanced lithographic tools requires that the position of best focus be determined to ensure accuracy and efficiency. We present what we believe is a novel bar in bar that is drawn on a conventional chrome binary mask to translate focal errors into center-to-center shifts of outer and inner bars. An overlay measurement tool can easily measure this shift. A symmetrical center-to-center shift against best focus is created during defocus, and this shift can be well fitted by a second-order polynomial equation. Simply differentiating the fitted equation leads to an accurate and reliable focus value, with a maximum error of less than 0.05 μm. The proposed technique can also be employed to evaluate the tilt, field curvature, and astigmatism of advanced lithographic tools.
机译：高级光刻工具的聚焦深度越来越小，这就要求确定最佳聚焦位置，以确保准确性和效率。我们介绍一种我们认为新颖的条形图，该条形图是在常规的镀铬二元掩模上绘制的，用于将焦点误差转换为外部和内部条形的中心到中心的偏移。叠加测量工具可以轻松测量此偏移。在散焦期间会产生一个相对于最佳聚焦的对称中心到中心偏移，并且该偏移可以通过二阶多项式方程很好地拟合。只需对拟合方程进行微分即可得出准确而可靠的聚焦值，最大误差小于0.05μm。提出的技术还可以用于评估高级光刻工具的倾斜度，像场弯曲度和像散度。

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