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CALCULATIONS ON ELECTRONIC STATES IN QDs WITH SATURATED SHAPES

机译:具有饱和形状的量子点中的电子态计算

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摘要

Electronic States of Si and Ge QDs of 5 to 3127 atoms with saturated shapes in a size range of 0.57 to 4.92 nm for Si and 0.60 to 5.13 nm for Ge are calculated by using an empirical tight-binding model combined with the irreducible representations of the group theory. The results are compared with those of Si and Ge quantum dots with spherical shape. The effects of the shapes on electronic states in QDs are discussed.
机译:Si和Ge的电子态的QDs为5至3127个原子,其饱和形状在Si的尺寸范围为0.57至4.92 nm之间,在Ge的尺寸范围为0.60至5.13 nm之间,是通过使用经验紧密结合模型并结合其不可约表示来计算的群体理论。将结果与具有球形的Si和Ge量子点的结果进行比较。讨论了形状对量子点中电子状态的影响。

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