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首页> 外文期刊>International journal of nanoscience >Comparative study of Ta and TaN(N) in the barrier/ultra low k structures for deep submicron integrated circuits
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Comparative study of Ta and TaN(N) in the barrier/ultra low k structures for deep submicron integrated circuits

机译：深亚微米集成电路的势垒/超低k结构中Ta和TaN（N）的比较研究

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Two kinds of barrier layers, Ta and TaN, deposited on an ultra low k dielectric porous polymer film with k - 2.3 were evaluated using various techniques after thermal treatments at 400℃ for different periods of time. It was found that the sheet resistance of the Ta barrier increased significantly after being annealed for 60 min while that of TaN increased after 120 min due to Ta-O compound formation as revealed by X-ray diffraction and secondary ion mass spectrometry. The better integrity of the TaN compared Ta -is due to N incorporation, which limits the diffusion of Ta and O. The diffusion coefficient of Ta in the porous polymer is 0.023 ± 0.001 nm{sup}2/s, while the diffusion coefficient of TaN is only 0.0033 ± 0.0001 nm{sup}2/s.
机译：在400℃下热处理了不同的时间后，用各种技术对沉积在k-2.3的超低k介电多孔聚合物薄膜上的两种阻挡层Ta和TaN进行了评价。通过X射线衍射和二次离子质谱分析发现，由于Ta-O化合物的形成，Ta阻挡层的薄膜电阻在退火60分钟后显着增加，而TaN在120分钟后增加。与Ta-相比，TaN的完整性更好，这是由于N的结合，限制了Ta和O的扩散。Ta在多孔聚合物中的扩散系数为0.023±0.001 nm {sup} 2 / s，而Ta的扩散系数为TaN仅为0.0033±0.0001nm {sup} 2 / s。

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