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首页> 外文期刊>ECS Solid State Letters >Acceptor-Donor Transition and Electrical Property of Cu-Deficient (Cu_(2-x)Zn_x)ZnSnSe_4 (x= 0 - 0.3) Bulks
【24h】

Acceptor-Donor Transition and Electrical Property of Cu-Deficient (Cu_(2-x)Zn_x)ZnSnSe_4 (x= 0 - 0.3) Bulks

机译：缺铜的（Cu_（2-x）Zn_x）ZnSnSe_4（x = 0-0.3）的受体-配体跃迁和电性能

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We have investigated the concept of defect in (Cu_(2-x)Zn_x)ZnSnSe_4 (Zn-CZTSe) bulks with x = 0-0.3 prepared by liquid-phase sintering at 600°C for 2 h with soluble sintering aids of Sb_2S_3 and Te. The sintered pellets exhibited p-type conductivity at x = 0-0.2 and n-type at x = 0.3. SEM images of pellets show dense surface morphology, and decrease in grain size upon Zn inclusion. Zn-CZTSe at x = 0.2 with hole mobility of 13.13 cm~2/V s and carrier concentration of 1.7 × 10~(17) cm~(-3) can be taken as an optimal condition to fabricate CZTSe solar cells.
机译：我们研究了通过（Cu_（2-x）Zn_x）ZnSnSe_4（Zn-CZTSe）块中x = 0-0.3的缺陷的概念，该缺陷是通过Sb_2S_3和Sb_2S的可溶性烧结助剂在600°C液相烧结2小时制得的特。烧结的粒料在x ＝ 0-0.2时显示出p型电导率，并且在x ＝ 0.3时显示出n型电导率。丸的SEM图像显示出致密的表面形态，并且在包含Zn时晶粒尺寸减小。 Zn-CZTSe x = 0.2，空穴迁移率为13.13 cm〜2 / V s和载流子浓度为1.7×10〜（17）cm〜（-3）可以作为制备CZTSe太阳能电池的最佳条件。

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