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Direct Patterning of Self Assembled Nano-Structures of Block Copolymers via Electron Beam Lithography

机译：通过电子束光刻技术对嵌段共聚物自组装纳米结构的直接图案化

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This study describes a method where the match of two different length scales,i.e.,the patterns from self-assembled block copolymer (<50 nm) and electron beam writing (>50 nm),allow the nanometer scale pattern mask.The method is based on using block copolymers containing a poly(methyl methacrylate) (PMMA) block,which is subject to be decomposed under an electron beam,as a pattern resist for electron beam lithography.Electron beam on self assembled block copolymer thin film selectively etches PMMA microdomains,giving rise to a polymeric nano-pattern mask on which subsequent evaporation of chromium produces the arrays of Cr nanoparticles followed by lifting off the mask.Furthermore,electron beam lithography was performed on the micropatterned block copolymer film fabricated by micro-imprinting,leading to a hierarchical self assembled pattern where a broad range of length scales was effectively assembled,ranging from several tens of nanometers,through submicrons,to a few microns.
机译：这项研究描述了一种方法，该方法可以匹配两种不同的长度尺度，即自组装嵌段共聚物的图案（<50 nm）和电子束写入（> 50 nm）的图案，从而允许使用纳米尺度的图案掩模。使用含有可在电子束下分解的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）嵌段的嵌段共聚物作为电子束光刻的图形抗蚀剂。自组装嵌段共聚物薄膜上的电子束选择性刻蚀PMMA微区，产生聚合物纳米图案掩模，随后铬的蒸发会生成Cr纳米粒子阵列，然后揭下掩模。此外，对通过微压印制造的微图案嵌段共聚物膜进行电子束光刻，导致分层自组装模式，可有效组装各种长度尺度，范围从几十纳米到亚微米到几微米。

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