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【24h】

LINEARIZATION OF STACKED-FET RF CMOS POWER AMPLIFIER USING DIODE-INTEGRATED BIAS CIRCUIT

机译：使用二极管集成偏置电路对叠层式RF CMOS功率放大器进行线性化

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In this article, the linearization circuit of stacked-FET RF CMOS power amplifier (PA) is presented. The proposed diode-integrated bias circuit provides the increasing DC gate bias current which allows the bottom FET in the tripled-stacked FET to saturate at a higher power compared to the conventional bias circuit. The simulation shows that the proposed bias circuit can increase a 1-dB gain compression point of the stacked-FET PA with a higher efficiency. It is demonstrated from the measurement of the triple-stacked CMOS Pas with W-CDMA input signal that the proposed diode-integrated bias circuit can reduce the spectrum regrowth and increase the average efficiency.
机译：本文介绍了堆叠式FET RF CMOS功率放大器（PA）的线性化电路。所提出的二极管集成偏置电路提供了增加的DC栅极偏置电流，与传统偏置电路相比，该偏置电路允许三层堆叠FET中的底部FET以更高的功率饱和。仿真表明，所提出的偏置电路可以以更高的效率提高堆叠式FET PA的1dB增益压缩点。通过使用W-CDMA输入信号对三重堆叠CMOS Pas进行测量，可以证明所提出的二极管集成偏置电路可以减少频谱再生并提高平均效率。

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