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A NOVEL LOW-VOLTAGE TUNABLE CAPACITOR FOR TUNABLE RF CIRCUIT APPLICATIONS

机译：可调谐射频电路应用的新型低电压可调谐电容器

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In this article, a novel architecture of the tunable capacitor is proposed for low-voltage applications. In order to reduce operation voltage by enhancing fringing electric fields, two finger-patterned electrodes with zero spacing are vertically separated by employing a multilayer thin-film dielectric of a para-/ferro-/paraelectrics. The proposed tunable capacitor was fabricated on a quartz wafer and its characteristics are analyzed in terms of effective capacitance and tunability with a function of applied voltages, in comparison with the tunable capacitor with the finger-pattern electrode only on the top of the dielectric. At 8 V and 2 GHz, the proposed tunable capacitor shows a tunability of 18% that is 10.3% higher than that of the compared one.
机译：在本文中，提出了一种适用于低压应用的新型可调电容器架构。为了通过增强边缘电场来降低操作电压，通过使用对-/铁-/顺电体的多层薄膜电介质将具有零间隔的两个指状电极垂直分离。与仅在电介质顶部具有指状图案电极的可调电容器相比，该建议的可调电容器是在石英晶片上制造的，并根据有效电容和可调性与施加电压的函数来分析其特性。在8 V和2 GHz时，建议的可调电容器显示出18％的可调性，比同类电容器高10.3％。

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