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Silicon nitride gate dielectrics and band gap engineering in graphene layers

机译：石墨烯层中的氮化硅栅极电介质和带隙工程

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We show that silicon nitride can provide uniform coverage of graphene in field-effect transistors while preserving the channel mobility. This insulator allowed us to study the maximum channel resistance at the Dirac (neutrality) point as a function of the strength of a perpendicular electric field in top-gated devices with different numbers of graphene layers. Using a simple model to account for surface potential variations (electron-hole puddles) near the Dirac point we estimate the field-induced band gap or band overlap in the different layers.
机译：我们表明，氮化硅可以在保持沟道迁移率的同时提供场效应晶体管中石墨烯的均匀覆盖。这种绝缘体使我们能够研究狄拉克（中性）点处的最大沟道电阻，该电阻是具有不同石墨烯层数的顶部浇口器件中垂直电场强度的函数。使用一个简单的模型来说明狄拉克点附近的表面电势变化（电子-空穴水坑），我们估算了不同层中场致的带隙或带重叠。

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