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【24h】

Phase diagram of nanoscale alloy particles used for vapor-liquid-solid growth of semiconductor nanowires

机译：用于半导体纳米线的气液固生长的纳米合金颗粒的相图

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We use transmission electron microscopy observations to establish the parts of the phase diagram of nanometer sized Au-Ge alloy drops at the tips of Ge nanowires (NWs) that determine their temperature-dependent equilibrium composition and, hence, their exchange of semiconductor material with the NWs. We find that the phase diagram of the nanoscale drop deviates significantly from that of the bulk alloy, which explains discrepancies between actual growth results and predictions on the basis of the bulk-phase equilibria. Our findings provide the basis for tailoring vapor-liquid-solid growth to achieve complex one-dimensional materials geometries.
机译：我们使用透射电子显微镜观察来建立Ge纳米线（NWs）尖端处的纳米尺寸Au-Ge合金液滴相图的各部分，这些液滴决定了它们的温度依赖性平衡组成，并因此决定了它们与半导体材料的交换。西北。我们发现纳米级液滴的相图与块状合金的相图显着不同，这解释了基于块状相平衡的实际生长结果与预测之间的差异。我们的发现为调整气液固增长提供了基础，以实现复杂的一维材料几何形状。

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