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Calculation of vertical correlation probability in Ge/Si(001) shallow island quantum dot multilayer systems

机译：Ge / Si（001）浅岛量子点多层系统中垂直相关概率的计算

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We investigate the behavior of the island vertical pairing probability in multilayer systems of Ge island quantum dots (QDs) in Si(001). By combining a simple kinetic rate model with our previously reported atomistic simulation results on the nature of the stress field from buried shallow Ge islands having {105}-oriented sidewalls, we derive an analytical expression for correlation probability as a function of the parameters characterizing the multi-QD systems. The approach is based upon continuum mechanochemical potential model, which allows one to introduce necessary elements of the kinetics of island formation in a simple way. We compare the model predictions with available experimental data and find that the model provides a satisfactory description of the coupling probability. The correlation probability behavior as a function of capping layer thickness, Ge island size, interisland distance, and Ge adatom diffusion length is investigated within the framework of the developed model.
机译：我们研究了Si（001）中Ge岛量子点（QDs）多层系统中岛垂直配对概率的行为。通过将简单的动力学速率模型与我们先前报道的关于具有{105}取向侧壁的浅埋Ge岛的应力场性质的原子模拟结果相结合，我们得出了相关概率的解析表达式，该表达式是表征特征的参数的函数多QD系统。该方法基于连续的机械化学势模型，该模型允许以一种简单的方式介绍岛屿形成动力学的必要要素。我们将模型预测与可用的实验数据进行比较，发现该模型对耦合概率提供了令人满意的描述。在开发模型的框架内，研究了相关概率行为与覆盖层厚度，Ge岛大小，岛间距离和Ge原子扩散长度的函数。

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