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Electrically excited infrared emission from InN nanowire transistors

机译：InN纳米线晶体管的电激发红外发射

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We report electrically excited infrared emission from a single InN nanowire transistor. We report on: (1) the generation of IR emission by impact excitation of carriers under a high electrical field, (2) the size of the fundamental band gap of InN NW by measuring its emission spectra, (3) the observation of interband and conduction-band to conduction-band hot-carrier emission, and the carrier relaxation rate, and finally, (4) we present evidence that suggests that the electron accumulation layer at the InN NW surface forms a surface plasmon that couples to and enhances radiative electron-hole pair recombination.
机译：我们报告了单个InN纳米线晶体管的电激发红外发射。我们报告：（1）在高电场下通过载流子的碰撞激发产生红外发射;（2）通过测量InN NW的发射光谱，确定InN NW基带隙的大小;（3）观察带间和导带到导带的热载流子发射以及载流子弛豫率，最后，（4）我们提供的证据表明，InN NW表面的电子积累层形成了一个表面等离子体激元，该等离子体激元耦合并增强了辐射电子孔对重组。

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