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【24h】

Three-dimensional structure of helical and zigzagged nanowires using electron tomography

机译：螺旋和锯齿状纳米线的三维结构的电子断层扫描

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Electron tomography and high-resolution transmission electron microscopy were used to characterize the unique three-dimensional structures of helical or zigzagged GaN, ZnGa2O4, and Zn2SnO4 nanowires. The GaN nanowires adopt a helical structure that consists of six equivalent < 0 (1) over bar 11 > growth directions with the axial [0001] direction. We also confirmed that the ZnGa2O4 nanosprings have four equivalent < 011 > growth directions with the [001] axial direction. The zigzagged Zn2SnO4 nanowires consisted of linked rhombohedrons having the side edges matched to the < 110 > direction and the [111] axial direction.
机译：电子断层扫描和高分辨率透射电子显微镜用于表征螺旋或锯齿形GaN，ZnGa2O4和Zn2SnO4纳米线的独特三维结构。 GaN纳米线采用螺旋结构，该结构由六个等效的<0（1）沿11轴方向[0001]的生长方向组成。我们还证实了ZnGa2O4纳米弹簧具有四个等效的<011>生长方向，其轴向为[001]。锯齿形Zn2SnO4纳米线由链接的菱形体组成，菱形体的侧边缘与<110>方向和[111]轴向方向匹配。

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