• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nano letters >Direct Growth of Compound Semiconductor Nanowires by On-Film Formation of Nanowires: Bismuth Telluride
【24h】

Direct Growth of Compound Semiconductor Nanowires by On-Film Formation of Nanowires: Bismuth Telluride

机译：通过薄膜上的纳米线形成直接生长化合物半导体纳米线：碲化铋

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Bismuth telluride (Bi2Te3) nanowires are of great interest as nanoscale building blocks for high-efficiency thermoelectric devices. Their low-dimensional character leads to an enhanced figure-of-merit (ZT), an indicator of thermoelectric efficiency. Herein, we report the invention of a direct growth method termed On-Film Formation of Nanowires (OFF-ON) for making high-quality single-crystal compound semiconductor nanowires, that is, Bi2Te3, without the use of conventional templates, catalysts, or starting materials. We have used the OFF-ON technique to grow single crystal compound semiconductor Bi2Te3 nanowires from sputtered BiTe films after thermal annealing at 350 degrees C. The mechanism for wire growth is stress-induced mass flow along grain boundaries in the polycrystalline film. OFF-ON is a simple but powerful method for growing perfect single-crystal compound semiconductor nanowires of high aspect ratio with high crystallinity that distinguishes it from other competitive growth approaches that have been developed to date.
机译：碲化铋（Bi2Te3）纳米线作为高效热电设备的纳米级构建基块，引起了人们的极大兴趣。它们的低维特性可提高品质因数（ZT），这是热电效率的指标。在此，我们报道了一种直接生长方法的发明，该方法被称为纳米线的膜上形成（OFF-ON），用于制造高质量的单晶化合物半导体纳米线（即Bi2Te3），而无需使用常规模板，催化剂或起始材料。我们已经使用OFF-ON技术在350摄氏度的温度下进行退火之后，从溅射的BiTe薄膜中生长出单晶化合物半导体Bi2Te3纳米线。导线生长的机制是应力引起的质量沿多晶薄膜中的晶界流动。 OFF-ON是一种简单但功能强大的方法，用于生长具有高结晶度的高纵横比的完美单晶化合物半导体纳米线，这使其与迄今已开发的其他竞争性生长方法有所不同。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号