• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nano letters >Charge noise in liquid-gated single-wall carbon nanotube transistors
【24h】

Charge noise in liquid-gated single-wall carbon nanotube transistors

机译：液控单壁碳纳米管晶体管中的电荷噪声

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The noise properties of single-walled carbon nanotube transistors (SWNT-FETs) are essential for the performance of electronic circuits and sensors. Here, we investigate the mechanism responsible for the low-frequency noise in liquid-gated SWNT-FETs and its scaling with the length of the nanotube channel down to the nanometer scale. We show that the gate dependence of the noise amplitude provides strong evidence for a recently proposed charge-noise model. We find that the power of the charge noise scales as the inverse of the channel length of the SWNT-FET. Our measurements also show that surprisingly the ionic strength of the surrounding electrolyte has a minimal effect on the noise magnitude in SWNT-FETs.
机译：单壁碳纳米管晶体管（SWNT-FET）的噪声特性对于电子电路和传感器的性能至关重要。在这里，我们研究了液体门控SWNT-FET中低频噪声的原因及其随着纳米管沟道长度降低至纳米级而缩放的机制。我们表明，噪声幅度的门相关性为最近提出的电荷噪声模型提供了有力的证据。我们发现，电荷噪声的功率与SWNT-FET的沟道长度成反比。我们的测量还表明，令人惊讶的是，周围电解质的离子强度对SWNT-FET中的噪声幅度影响极小。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号