• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nano letters >Electrodeposited bismuth telluride nanowire arrays with uniform growth fronts
【24h】

Electrodeposited bismuth telluride nanowire arrays with uniform growth fronts

机译：具有均匀生长前沿的电沉积碲化铋纳米线阵列

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Bismuth telluride (Bi2Te3) nanowires were deposited into porous alumina templates with 35 nm diameter pores by a pulsed-potential electrodeposition method. For growth at temperatures between 1 and 4 degrees C, the nanowires filled 93% of the pores of the template, and the growth fronts were uniform with nanowire lengths of similar to 62-68 mu m. There are over ten billion nanowires per square centimeter with aspect ratios approaching 2000:1. Samples were characterized by scanning and transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and electron microprobe analysis. The crystalline nanowire arrays are highly oriented in the [110] direction, which is optimal for thermoelectric applications.
机译：通过脉冲电位电沉积法将碲化铋（Bi2Te3）纳米线沉积到具有35 nm直径孔的多孔氧化铝模板中。对于在1到4摄氏度之间的温度下生长，纳米线填充了模板孔的93％，并且生长前沿是均匀的，纳米线的长度接近62-68微米。每平方厘米有超过一百亿个纳米线，长宽比接近2000：1。通过扫描和透射电子显微镜，X射线衍射和电子显微探针分析对样品进行表征。晶体纳米线阵列在[110]方向上高度定向，这是热电应用的最佳选择。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号