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Precision cutting and patterning of graphene with helium ions

机译：用氦离子对石墨烯进行精密切割和图案化

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We report nanoscale patterning of graphene using a helium ion microscope configured for lithography. Helium ion lithography is a direct-write lithography process, comparable to conventional focused ion beam patterning, with no resist or other material contacting the sample surface. In the present application, graphene samples on Si/SiO2 substrates are cut using helium ions, with computer controlled alignment, patterning, and exposure. Once suitable beam doses are determined, sharp edge profiles and clean etching are obtained, with little evident damage or doping to the sample. This technique provides fast lithography compatible with graphene, with similar to 15 nm feature sizes.
机译：我们使用配置用于光刻的氦离子显微镜报告石墨烯的纳米级图案。氦离子光刻是一种直接写入光刻工艺，与传统的聚焦离子束构图相当，没有抗蚀剂或其他材料接触样品表面。在本申请中，使用氦离子在计算机控制的对准，图案化和曝光下切割Si / SiO2基板上的石墨烯样品。一旦确定了合适的光束剂量，就可以获得锋利的边缘轮廓和干净的蚀刻，几乎没有明显的样品损坏或掺杂。该技术提供了与石墨烯兼容的快速光刻技术，其特征尺寸类似于15 nm。

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