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Resistive switching characteristics of polymer non-volatile memory devices in a scalable via-hole structure

机译：可缩放通孔结构中的聚合物非易失性存储器件的电阻开关特性

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The resistive switching characteristics of polyfluorene-derivative polymer material in a sub-micron scale via-hole device structure were investigated. The scalable via-hole sub-microstructure was fabricated using an e-beam lithographic technique. The polymer non-volatile memory devices varied in size from 40 x 40 mu m(2) to 200 x 200 nm(2). From the scaling of junction size, the memory mechanism can be attributed to the space-charge-limited current with filamentary conduction. Sub-micron scale polymer memory devices showed excellent resistive switching behaviours such as a large ON/OFF ratio (I-ON/I-OFF similar to 10(4)), excellent device-to-device switching uniformity, good sweep endurance, and good retention times (more than 10 000 s). The successful operation of sub-micron scale memory devices of our polyfluorene-derivative polymer shows promise to fabricate high-density polymer memory devices.
机译：研究了亚微米级通孔器件结构中聚芴衍生物聚合物材料的电阻转换特性。可扩展的通孔亚显微结构是使用电子束光刻技术制造的。聚合物非易失性存储设备的大小从40 x 40μm（2）到200 x 200 nm（2）不等。从结尺寸的缩放，存储机制可以归因于具有丝状传导的空间电荷限制电流。亚微米级聚合物存储器件表现出出色的电阻切换性能，例如大的开/关比（I-ON / I-OFF类似于10（4）），出色的器件间切换均匀性，良好的扫描耐力和良好的保留时间（超过10000 s）。我们的聚芴衍生物聚合物的亚微米级存储设备的成功运行表明有望制造高密度聚合物存储设备。

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